本書譯自Hong Xiao(蕭宏) 原著「Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology」(第二版)，提供最新的半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，是半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作。本書適用於公私立大學、科大、技術學院，電子、電機、資工、機械系『半導體工程』、『半導體製程』、『半導體導論』課程使用。



本書特色



　　1.本書延續上一版，極完整的章節架構，並更新了各相關新技術。



　　2.本書的內容集中在最新的積體電路製程技術同時也兼顧較舊的技術以便讀者對積體電路製程技術的歷史發展有更完整的瞭解。



　　3.本書提供半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，使學生熟悉各種加工原理及其應用領域，以作為投入電子工業之基礎訓練課程。

第一章 導論 1

1.1 積體電路發展歷史 3

1.2 積體電路發展回顧 14

1.3 本章總結 22

習題 22

參考文獻 22



第二章 積體電路製程介紹 25

2.1 積體電路製程簡介 26

2.2 積體電路的良率 26

2.3 無塵室技術 30

2.4 積體電路製程區間基本結構 38

2.5 積體電路測試與封裝 48

2.6 積體電路未來發展趨勢 55

2.7 本章總結 56

習題 57

參考文獻 58



第三章 半導體基礎 59

3.1 半導體基本概念 60

3.2 半導體基本元件 64

3.3 積體電路晶片 75

3.4 積體電路基本製程 79

3.5 互補式金屬氧化物電晶體 86

3.6 2000後半導體製程發展趨勢 90

3.7 本章總結 92

習題 93

參考文獻 93



第四章 晶圓製造 95

4.1 簡介 96

4.2 為什麼使用矽材料 96

4.3 晶體結構與缺陷 98

4.4 晶圓生產技術 101

4.5 磊晶矽生長技術 109

4.6 基板工程 117

4.7 本章總結 121

習題 122

參考文獻 122



第五章 加熱製程 125

5.1 簡介 126

5.2 加熱製程的硬體設備 126

5.3 氧化製程 130

5.4 擴散製程 150

5.5 退火過程 155

5.6 高溫化學氣相沉積 159

5.7 快速加熱製程(RTP)系統 167

5.8 加熱製程發展趨勢 174

5.9 本章總結 176

習題 177

參考文獻 178



第六章 微影製程 179

6.1 簡介 180

6.2 光阻 181

6.3 微影製程 184

6.4 微影技術的發展趨勢 210

6.5 安全性 228

6.6 本章總結 229

習題 231

參考文獻 232



第七章 電漿製程 235

7.1 簡介 236

7.2 電漿基本概念 236

7.3 電漿中的碰撞 238

7.4 電漿參數 242

7.5 離子轟擊 247

7.6 直流偏壓 249

7.7 電漿製程優點 251

7-8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器 255

7.10 高密度電漿製程 260

7.11 本章總結 262

習題 263

參考文獻 263



第八章 離子佈植製程 265

8.1 簡介 266

8.2 離子佈植技術簡介 273

8.3 離子佈植技術硬體設備 281

8.4 離子佈植製程過程 290

8.5 安全性 304

8.6 離子佈植技術發展趨勢 306

8.7 本章總結 308

習題 309

參考文獻 310



第九章 蝕刻製程 311

9.1 蝕刻製程簡介 312

9.2 蝕刻製程基礎 314

9.3 濕式蝕刻製程 320

9.4 電漿(乾式)蝕刻製程 325

9.5 電漿蝕刻製程 338

9.6 蝕刻製程發展趨勢 357

9.7 蝕刻製程未來發展趨勢 359

9.8 本章總結 361

習題 362

參考文獻 362



第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜 365

10.1 簡介 366

10.2 化學氣相沉積 368

10.3 介電質薄膜的應用 385

10.4 介電質薄膜特性 393

10.5 介電質CVD製程 406

10.6 塗佈旋塗矽玻璃 420

10.7 高密度電漿CVD (HDP-CVD) 421

10.8 介電質CVD反應室清潔 424

10.9 製程發展趨勢與故障排除 428

10.10 化學氣相沉積製程發展趨勢 434

10.11 本章總結 441

習題 443

參考文獻 444



第十一章 金屬化製程 447

11.1 簡介 448

11.2 導電薄膜 450

11.3 金屬薄膜特性 464

11.4 金屬化學氣相沉積 472

11.5 物理氣相沉積 481

11.6 銅金屬化製程 493

11.7 安全性 499

11.8 本章總結 499

習題 501

參考文獻 502



第十二章 化學機械研磨製程 503

12.1 簡介 504

12.2 CMP硬體設備 514

12.3 CMP研磨漿 517

12.4 CMP基本理論 523

12.5 CMP製程過程 529

12.6 CMP製程發展趨勢 538

12.7 本章總結 539

習題 540

參考文獻 542



第十三章 半導體製程整合 545

13.1 簡介 546

13.2 晶圓準備 546

13.3 隔離技術 548

13.4 井區形成 554

13.5 電晶體製造 557

13.6 金屬高k閘極MOS 561

13.7 互連技術 565

13.8 鈍化 574

13.9 總結 575

習題 575

參考文獻 576



第十四章 IC製程技術 577

14.1 簡介 578

14.2 上世紀80年代CMOS製程流程 578

14.3 上世紀90年代CMOS製程流程 582

14.4 2000年代CMOS製程流程 596

14.5 2010年代CMOS製程流程 615

14.6 記憶體晶片製造製程 627

14.7 本章總結 644

習題 645

參考文獻 646



第十五章 半導體製程發展趨勢和總結 649

參考文獻 656